[发明专利]复合存储电路和包括复合存储电路的半导体装置无效
| 申请号： | 03823117.4 | 申请日： | 2003-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1685439A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 森山胜利;森宽伸;冈崎信道 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C16/02;G06F12/16;G06F12/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种复合存储电路，其包括包含相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路的存储电路，通过向非易失性存储电路存储与存储在易失性存储电路中相同的存储信息，该复合存储电路布置成具有瞬时接通功能，并能减少功耗，还提供一种包括该复合存储电路的半导体装置。根据本发明，在复合存储电路和包括该复合存储电路的半导体装置中，提供了判定电路用于当向非易失性存储电路写入易失性存储电路中存储的存储信息时，比较存储在易失性存储电路中的第一存储信息与已经存储在非易失性存储电路中的第二存储信息，所述复合存储电路包括相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路，并且仅当第一存储信息与第二存储信息不一致时，才向非易失性存储电路写入第一存储信息。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 存储 电路 包括 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种复合存储电路，包括相互并联的易失性存储电路和非易失性存储电路，并设置成与易失性存储电路中的存储信息相同的信息被存储到非易失性存储电路中，该复合存储电路还包括判定电路，用于在存储在易失性存储电路中的存储信息被写入到非易失性存储电路中时，比较易失性存储电路中存储的第一存储信息与已经存储在非易失性存储电路中的第二存储信息，其中仅在第一存储信息与第二存储信息不一致时，第一存储信息才被写入非易失性存储电路。
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