[发明专利]精密相位延迟装置和其制造方法无效
| 申请号： | 03823137.9 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1692291A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 安格·尼科洛夫;王建;邓学工;张伟;格列格·布隆德尔 | 申请（专利权）人： | 纳诺普托公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有小于约10微米的大体上均匀的厚度并且适用于在约为中心波长的波长范围内进行操作的双折射装置。所述装置包括：一个基底基板；一个交替折射指数的周期性指数区域层，其贴于所述基底基板的第一表面，和一个顶盖基板，其设置于大体上邻近于在所述基底基板的远侧的层。所述周期性指数区域层具有小于中心波长的周期性。所述装置适用于产生在0π与2π相位之间的任意相位延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 精密 相位 延迟 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有小于约10微米的大体上均匀厚度的双折射装置，其适用于传播入射辐射并且可适用于在约为一个中心波长的波长范围内进行操作，所述装置包含：一个基底基板；一个交替折射指数的周期性指数区域层，其贴于所述基底基板的第一表面，所述层具有小于所述中心波长的周期性；和一个顶盖基板，其设置于大体上邻近于在所述基底基板的远侧的所述层，其中所述装置适用于产生在0与2π相位之间的任意相位延迟。
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