[发明专利]填充的方钴矿基合金、其形成方法及利用该合金制造的热电转换器件有效

专利信息
申请号: 03823174.3 申请日: 2003-08-07
公开(公告)号: CN1685533A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: 中岛健一郎 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H01L35/18 分类号: H01L35/18;H01L35/22;H01L35/28;H01L35/34;C22C12/00;C22F1/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法,所述方法包括以下步骤:熔化合金原料以使其形成熔融物,所述原料包括至少是La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu及Yb中的一种物质的稀土金属R、至少是Fe、Co、Ni、Os、Ru、Pd、Pt及Ag中的一种物质的过渡金属T、以及金属锑Sb;以及通过条铸法对所述熔融物快速淬火,从而形成固化产物,所述固化产物是有利于用来制造热电元件的填充的方钴矿基合金。
搜索关键词: 填充 方钴矿基 合金 形成 方法 利用 制造 热电 转换 器件
【主权项】:
1.一种形成填充的方钴矿基合金的方法,所述方法包括:熔化合金原料以形成熔融物,所述原料包括至少是La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu及Yb中的一种物质的稀土金属R、至少是Fe、Co、Ni、Os、Ru、Pd、Pt及Ag中的一种物质的过渡金属T、以及金属锑Sb;以及通过条铸法对所述熔融物快速淬火,从而形成固化产物。
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