[发明专利]发射射线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03823388.6 | 申请日： | 2003-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1685529A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | J·鲍尔;D·埃塞尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发射射线的半导体器件，其具有一个射线可透过的衬底(1)，在该衬底(1)的底面上布置了一个生成射线的层(2)；在该半导体器件中，衬底(1)具有倾斜的侧面(3)；在该半导体器件中，衬底(1)的折射率大于生成射线的层的折射率；在该半导体器件中，从折射率差中产生了未照明的衬底区域(4)，没有光子直接从生成射线的层耦合输入到该未照明的衬底区域(4)中；以及在该半导体器件中，衬底(1)在未照明的区域中具有基本上垂直的侧面(5)。该器件具有以下的优点，即它可以以更好的面积产量从晶片中被制造。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 射线 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发射射线的半导体器件-具有一个射线可透过的衬底(1)，在该衬底(1)的底面上布置了一个生成射线的层(2)，-其中，该衬底(1)具有倾斜的侧面(3)，-其中，该衬底的折射率(n1)大于该生成射线的层(2)的折射率(n2)，其特征在于，-从该折射率差中产生了未照明的衬底区域(4)，没有光子直接从该生成射线的层(2)耦合输入到该未照明的衬底区域(4)中，以及-该衬底(1)在该未照明的区域(4)中具有基本上垂直的侧面(5)。
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