[发明专利]使用阳极氧化工艺制造的具有三极管结构的电场发射器件及其制造方法

摘要

通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。发射器形成为与该器件的电极尽可能地紧密接触，这导致降低器件的驱动电压。

主权项

1、一种通过使用阳极氧化工艺制造的具有三极管结构的电场发射器件，包括：支撑衬底；在所述支撑衬底上形成的底部电极层，该底部电极层用作该器件的阴极；在所述底部电极层上形成的栅极绝缘层，该栅极绝缘层具有用作该器件的栅极孔的多个第一亚微米孔；在所述栅极绝缘层上形成的栅电极层，该栅电极层具有多个第二亚微米孔，每个第二亚微米孔连接到相应的一个所述第一亚微米孔；在所述栅电极层上形成的氧化铝层，该氧化铝层具有多个第三亚微米孔，每个第三亚微米孔连接到相应的一个所述第二亚微米孔；用于将该器件密闭地密封在真空中的顶部电极层，该顶部电极层形成在所述氧化铝层上，并且用作该器件的阳极；以及用于在强电场中发射电子的多个发射器，每个发射器形成在相应的一个第一亚微米孔中。