[发明专利]多层结构膜及其制作方法无效
| 申请号： | 03823468.8 | 申请日： | 2003-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1685402A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 向井良一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;G11B5/84;G11B5/738;G11B5/65;G11B5/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一多晶下层(33)由彼此相邻的晶粒组成。第二多晶层(34)以大于第一多晶层(33)厚度的厚度延伸在第一多晶层(33)的表面上。第二多晶层(34)由从第一多晶下层(33)中的各个晶粒生长的晶粒组成。细小而均匀的晶粒能够被建立在第一和第二多晶层(33，35)中。此外，第一和第二多晶层(33，35)可以具有足够的厚度。细小而均匀的晶粒同样被建立在第一和第二磁性多晶层(35，36)中。第一和第二磁性多晶层(35，36)可以具有足够的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多层结构膜的方法，它包含下列步骤：在物体表面上淀积第一原子；对第一原子进行热处理，以便形成第一多晶层；以及在第一多晶层的表面上淀积第二原子，以便形成厚度大于第一多晶层厚度的第二多晶层。
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