[发明专利]无接触均匀隧道分离P－阱(CUSP)非易失性存储器结构,制造和操作无效
| 申请号： | 03823524.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1685442A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | C·陈;A·米尼;K·D·普拉尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在非易失性存储器阵列和器件的制造中形成在隔离阱中的浮栅场效应晶体管或存储器元件很有用。这样的浮栅存储器元件列和包含列中的每个存储器元件的源/漏区的阱相关。这些阱和阵列的其他列的源/漏区隔离。Fowler－Nordheim隧道可以用于在个别元件的基础上或在元件体或元件模块的基础上编程和擦除这样的浮栅存储器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 均匀 隧道 分离 cusp 非易失性存储器 结构 制造 操作 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅场效应晶体管阵列，包括：两列或多列浮栅场效应晶体管，一列中的每个场效应晶体管和该列中的其他场效应晶体管共用第一源/漏区和第二源/漏区；其中一列的第一和第二源/漏区被包含在具有第一导电类型的第一阱中；和其中每列的第一阱和其他列的第一阱隔离。
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