[发明专利]只读磁存储设备MROM无效

专利信息
申请号: 03823606.0 申请日: 2003-09-12
公开(公告)号: CN1689118A 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: K·-M·H·伦斯森;H·范豪坦 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11C17/02 分类号: G11C17/02;G11C11/16;G11C11/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨生平;梁永
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种存储设备,具有信息载体部分(10)和读出部分(30)。该信息载体部分(10)被提供有一个电-磁材料的图案,构成一个比特位置阵列(11),所述材料在信息平面上存在或不存在表示逻辑值。该读出部分具有电-磁传感器元件的二维阵列(31),这些电-磁传感器元件对于在近场工作距离存在所述电-磁材料敏感。在制造过程中,该两个部分被固定耦合并且对齐,以便将所述比特位置定位在所述传感器元件对面。
搜索关键词: 只读 存储 设备 mrom
【主权项】:
1.一种存储设备,包括一个信息载体部分和读出部分,该信息载体部分具有一个信息平面,该信息平面上提供有一个电-磁材料的图案,构成一个比特位置阵列,所述材料在所述信息平面上存在或不存在表示一个比特位置的值,该读出部分具有一个分界面,用于与所述信息平面协调,该分界面上提供有电-磁传感器元件的二维阵列,这些电-磁传感器元件对于在一个近场工作距离存在所述电-磁材料敏感,上述信息载体部分和读出部分固定耦合并且对齐,以便将所述比特位置定位在传感器元件对面,并且在一个比特位置和对应的传感器元件之间基本具有近场工作距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03823606.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top