[发明专利]只读磁存储设备MROM无效
申请号: | 03823606.0 | 申请日: | 2003-09-12 |
公开(公告)号: | CN1689118A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | K·-M·H·伦斯森;H·范豪坦 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/02 | 分类号: | G11C17/02;G11C11/16;G11C11/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨生平;梁永 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种存储设备,具有信息载体部分(10)和读出部分(30)。该信息载体部分(10)被提供有一个电-磁材料的图案,构成一个比特位置阵列(11),所述材料在信息平面上存在或不存在表示逻辑值。该读出部分具有电-磁传感器元件的二维阵列(31),这些电-磁传感器元件对于在近场工作距离存在所述电-磁材料敏感。在制造过程中,该两个部分被固定耦合并且对齐,以便将所述比特位置定位在所述传感器元件对面。 | ||
搜索关键词: | 只读 存储 设备 mrom | ||
【主权项】:
1.一种存储设备,包括一个信息载体部分和读出部分,该信息载体部分具有一个信息平面,该信息平面上提供有一个电-磁材料的图案,构成一个比特位置阵列,所述材料在所述信息平面上存在或不存在表示一个比特位置的值,该读出部分具有一个分界面,用于与所述信息平面协调,该分界面上提供有电-磁传感器元件的二维阵列,这些电-磁传感器元件对于在一个近场工作距离存在所述电-磁材料敏感,上述信息载体部分和读出部分固定耦合并且对齐,以便将所述比特位置定位在传感器元件对面,并且在一个比特位置和对应的传感器元件之间基本具有近场工作距离。
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