[发明专利]制造具有由充满隔离材料的沟槽组成的场隔离区的半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括具有表面(4)的硅本体(1)，表面(4)上提供有包围有源区(3)的场隔离区(2)。在该方法中，在硅本体的表面上形成材料辅助层(5)，在氧化处理期间，在该层上形成比在硅本体的硅上更厚的二氧化硅层。这里，在表面上形成包含硅和锗的辅助层，所述辅助层优选为Si_xGe_1－x－yC_y层，其中0.70＜x＜0.95，y＜0.05。接着，在要形成场隔离区的位置，在辅助层中形成窗口(9)，并在硅本体中形成沟槽(11)。然后，在沟槽的侧壁(12)上提供二氧化硅层(13)，并且在窗口的侧壁(10)上提供二氧化硅层(14)，两层都通过氧化处理形成。辅助层未在整个厚度被氧化。在氧化处理之后，淀积隔离材料层(18)完全填满沟槽和窗口。然后，进行平面化处理，直到露出辅助层的非氧化部分(17)，并除去辅助层的暴露部分。由此，形成具有延伸到有源区(3)上方的边缘(19)的场隔离区(2)。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中使硅本体的表面具有辅助材料层，在氧化处理期间，在该层上形成比在硅本体的硅上更厚的二氧化硅层，之后，在要形成场隔离区的位置，在辅助层中形成窗口，并在硅本体的表面中形成沟槽，然后，进行氧化处理，其中使沟槽和窗口的侧壁具有二氧化硅层，但是其中阻止靠近窗口的辅助层在其整个厚度上被氧化，之后，以沟槽和窗口被完全充满的厚度淀积隔离材料层，进行平面化处理，直到露出辅助层的非氧化部分，之后除去辅助层的该部分，所述方法的特征在于将包含硅和锗的层作为辅助层涂覆到硅本体的表面。