[发明专利]光掩膜及半导体器件的制造方法

摘要

提供一种半导体器件的制造方法，使用半色调相移掩膜(11)和莱温松相移掩膜(12)进行双重曝光处理，半色调相移掩膜(11)具备插入在栅极图案(1)与栅极图案(1)间距离大的部位而构成的可分辨线宽的辅助图案(2a)和分辨界限以下的线宽的辅助图案(2b)，莱温松相移掩膜(12)具有对应于光掩膜(11)的栅极图案(1)的辅助图案(3)。这时，除掉辅助图案(2a)、(2b)，仅转印栅极图案(1)。这样，在用双重曝光处理进行图案转印时，可以提高图案的共同焦点深度，实现线宽的高度均匀化，从而可制造可靠性高的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，用双重曝光处理进行图案转印，其特征在于：包含如下工序：用具有第一图案和第二图案的第一掩膜进行曝光的工序；用具有第三图案的第二掩膜进行曝光的工序；用所述双重曝光处理按照所述第三图案除掉所述第二图案，仅转印所述第一图案。