[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 03823775.X | 申请日： | 2003-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1689114A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 池田稔美;川田邦范;大塚修三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，由第一电位、低于该第一电位的第二电位、以及低于该第二电位的第三电位驱动，其特征在于，包括：被串联连接在所述第一电位和所述第三电位之间的第一Pch晶体管和第一Nch晶体管；漏极端与所述第一Nch晶体管的栅极端连接的第二Pch晶体管；源极端与所述第二Pch晶体管的源极端连接的第二Nch晶体管；其中，所述第二Nch晶体管的漏极端和栅极端分别被固定在所述第二电位和所述第一电位上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，由第一电位、低于该第一电位的第二电位、以及低于该第二电位的第三电位驱动，其特征在于，包括：第一Pch晶体管和第一Nch晶体管，被串联连接在所述第一电位和所述第三电位之间；第二Pch晶体管，漏极端与所述第一Nch晶体管的栅极端连接；第二Nch晶体管，源极端与所述第二Pch晶体管的源极端连接；其中，所述第二Nch晶体管的漏极端和栅极端分别被固定在所述第二电位和所述第一电位上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03823775.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：船舶压舱水和沉积物采集器
- 下一篇：电沉积制备纳米铜粉的方法
