[发明专利]用于铜金属沉积的铜的吡咯基络合物无效
申请号: | 03824047.5 | 申请日: | 2003-07-31 |
公开(公告)号: | CN1688741A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | V·格鲁申 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C07D207/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温宏艳;王景朝 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及在通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的铜沉积中使用的配体和铜络合物的制备方法以及铜络合物在ALD和CVD方法中的应用。 | ||
搜索关键词: | 用于 金属 沉积 吡咯 络合物 | ||
【主权项】:
1.制备吡咯醛亚胺的方法,所述方法包括下列步骤:a)将2-甲酰基吡咯与伯胺RNH2在水溶液中进行反应,其中R是C1-C10烷基或被取代的烷基,或C6-C12芳基或被取代的芳基;b)加入水不混溶有机化合物以形成水相和有机相;和c)分离出有机相。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的