[发明专利]用于替换介质内容物的装置和方法有效
| 申请号： | 03824065.3 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1688665A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 戴维·J·施罗德;凯文·J·莫根伯格;霍默·乔;杰弗里·P·张伯伦;约瑟夫·D·霍金斯;菲利普·W·卡特 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供抛光基材的方法，包括：(i)将包含至少一含铜金属层的基材与化学－机械抛光(CMP)系统接触，及(ii)研磨至少一部分的该含铜金属层，以抛光该基材。该CMP系统包含(a)研磨剂、(b)两亲性非离子表面活性剂、(c)氧化该金属层的方式、(d)有机酸、(e)抗蚀剂及(f)液态载体。本发明还提供抛光基材的两步法，该基材包含第一金属层及不同的第二金属层。第一金属层用包含研磨剂和液态载体的第一CMP系统抛光，而第二金属层则用包含(a)研磨剂、(b)两亲性非离子表面活性剂和(c)液态载体的第二CMP系统抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 替换 介质 内容 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光基材的方法，包括：(i)将包含至少一含铜金属层的基材与化学-机械抛光系统接触，该系统包含：(a)平均初级粒子尺寸为100纳米或更大的研磨剂，(b)包含头基团及尾基团且HLB值大于6的两亲性非离子表面活性剂，(c)氧化含铜金属层的方式，(d)有机酸，(e)抗蚀剂，和(f)液态载体；及(ii)研磨至少一部分含铜金属层以抛光基材。
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