[发明专利]光记录介质的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 03824290.7 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1689094A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 细川哲夫 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光磁记录介质的制造方法，在所述光磁记录介质中，在基板上形成有光学相位凹坑，在该光学相位凹坑上形成光记录膜，该光磁记录介质可以同时再生相位凹坑信号和其上形成的记录膜信号。当通过溅射在所述基板上形成所述记录膜时，通过改变气压来调整相位凹坑的调制程度。这样，可以以低成本均匀地制造这样一种光存储介质，其RAM信号和相位凹坑信号的抖动被抑制到小于或等于目标的10％。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光记录介质的制造方法，在所述光记录介质中，在形成于基板上的光学相位凹坑上形成记录膜，所述光学相位凹坑信号和所述记录膜的信号都可以通过光来再生，所述方法的特征在于包括以下步骤：在腔室内导入惰性气体，通过溅射在形成有所述光学相位凹坑的基板上形成所述记录膜的步骤；和在所述形成了记录膜的基板上，通过溅射形成反射层的步骤，当通过溅射形成所述记录膜时，通过改变所述腔室内所述惰性气体的压力来调整所述相位凹坑的光调制程度。
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