[发明专利]CMOS栅的原子层沉积无效
| 申请号： | 03824408.X | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1689143A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | L·福尔贝斯;K·Y·阿恩 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;庞立志 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于晶体管的结构、系统和方法，所述晶体管具有通过原子层沉积形成的并具有可变功函的栅极。一个晶体管的实施方案包括第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于它们之间的通道区域。栅极通过栅极绝缘体与所述通道区域分开。所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，以为所述三元金属导体提供被设计用于提供期望阈值电压的组成。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于所述第一和第二源极/漏极区域之间的通道区域；通过栅极绝缘体与所述通道区域分开的栅极，其中所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，以提供组成被设计用于提供期望阈值电压的三元金属导体。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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