[发明专利]半导体－铁电体存储器设备以及制造该设备的工艺

摘要

此前的MFIS晶体管存在的问题的是，在数据写入之后，数据会根据存储晶体管的操作在大约最多一天的时间里消失。这主要是因为：缓冲层与铁电体具有很高的漏电流，因此，电荷积聚在铁电体与缓冲层之间的界面周围，从而屏蔽了由铁电体存储的电极化，使铁电体的电极化无法控制晶体管中的源极与漏极之间的电导。在本发明中，通过构造由HfO_2+u或Hf_1－xAl_2xO_2+x+y制成的绝缘体缓冲层2，可以减少流经绝缘体缓冲层2以及铁电体3中的每一个的漏电流，并且可以实现具有真正的充分长的数据保持时间的存储晶体管。

主权项

1.一种半导体-铁电体存储器装置，其包括晶体管，所述晶体管包括具有源极区和漏极区的半导体基底或半导体区域，在所述半导体基底或半导体区域上依次层叠有绝缘体缓冲层、铁电体膜以及栅极，其中所述绝缘体缓冲层是包含铪-铝氧化物作为主要成分的绝缘膜。