[发明专利]具有层叠式雪崩倍增层和低电压读出电子电路的CMOS APS有效
申请号: | 03824625.2 | 申请日: | 2003-08-22 |
公开(公告)号: | CN1689164A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | I·塔卡亚纳吉;J·马卡穆拉 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在利用电荷倍增光转换元件的图像传感器中,第一个发明性特征通过在像素电路中的光转换元件和存储元件(光转换元件产生的电荷在该处积累)之间连接保护电路,来保护像素电路免于击穿,该击穿由来自光转换元件的过量电压所致。光转换元件的响应与图像传感器中所检测的光强度成反比,这使得由光转换元件输出的信号电压随着所检测光强度的增加而减小。第二个发明性特征通过在像素电路中结合输出控制电路来说明该反比关系,该输出控制电路固定光转换元件的输出电压电平,以便在光敏元件两端维持恒定的电势。可选地,像素电路能够同时包括这种类型的输出控制电路和保护电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 层叠 雪崩 倍增 电压 读出 电子电路 cmos aps | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的像素阵列中的图像传感器像素,包括:电荷倍增光转换元件;和与电荷倍增光转换元件电连接的电荷存储元件,和与电荷存储元件电连接的保护电路,用于限制积累在电荷存储元件处的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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