[发明专利]具有层叠式雪崩倍增层和低电压读出电子电路的CMOS APS有效

专利信息
申请号: 03824625.2 申请日: 2003-08-22
公开(公告)号: CN1689164A 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: I·塔卡亚纳吉;J·马卡穆拉 申请(专利权)人: 微米技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在利用电荷倍增光转换元件的图像传感器中,第一个发明性特征通过在像素电路中的光转换元件和存储元件(光转换元件产生的电荷在该处积累)之间连接保护电路,来保护像素电路免于击穿,该击穿由来自光转换元件的过量电压所致。光转换元件的响应与图像传感器中所检测的光强度成反比,这使得由光转换元件输出的信号电压随着所检测光强度的增加而减小。第二个发明性特征通过在像素电路中结合输出控制电路来说明该反比关系,该输出控制电路固定光转换元件的输出电压电平,以便在光敏元件两端维持恒定的电势。可选地,像素电路能够同时包括这种类型的输出控制电路和保护电路。
搜索关键词: 具有 层叠 雪崩 倍增 电压 读出 电子电路 cmos aps
【主权项】:
1.一种图像传感器的像素阵列中的图像传感器像素,包括:电荷倍增光转换元件;和与电荷倍增光转换元件电连接的电荷存储元件,和与电荷存储元件电连接的保护电路,用于限制积累在电荷存储元件处的电压。
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