[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 03824640.6 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1695200A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 铃木英明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置。在将具有铁电体电容的存储单元设置于由多个字线和与其相邻的板极线组成的组与位线的交叉部上的半导体存储装置中，通过在所述位线和被供给有基准电位的节点之间分别连接箝位电路，使得从铁电体电容供给位线的电荷被箝位电路抽出，以此来模拟增大位线的电容。从而，改善了在数据的读出动作时与铁电体电容存储的数据对应的位线的电位变化量，可得到位线间的大电位差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征在于，具有：多个字线；分别与所述字线相邻设置的板极线；沿着与所述字线和所述板极线正交的方向设置的多个位线；设置于由所述字线和板极线组成的组与所述位线的交叉部上，具有铁电体电容的存储单元；和分别连接于所述位线和被供给基准电位的节点之间的箝位电路。
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