[发明专利]具有表体偏压的负充电泵无效
| 申请号： | 03824663.5 | 申请日： | 2003-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1695100A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 乔治·奥多内;马西米利亚诺·弗鲁利奥;卢卡·菲吉尼;法比奥·塔桑·卡塞 | 申请（专利权）人： | 艾梅尔公司 |
| 主分类号： | G05F1/10 | 分类号： | G05F1/10;H02M3/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种n沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管负电压充电泵，其中该等n沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的表体(bulk)以一可防止接通寄生双极晶体管的方式偏压，该寄生双极晶体管是该充电泵结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)环境中所固有的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏压 充电 | ||
【主权项】：
1、一种具有多个工作相位并包含多个级的负电压充电泵，每一级包含至少两个各包括若干表体区域的n-沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述级的每一个还包括一寄生双极晶体管，所述表体区域在所述工作相位中的每一个期间可切换耦合至一电路节点，该电路节点具有一电位，使得所述寄生双极晶体管不接通。
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