[发明专利]双向双NMOS开关无效
| 申请号： | 03824762.3 | 申请日： | 2003-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1695300A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | G·德克雷莫西;I·范鲁;J·迪肯;F·尼尤沃夫;Y·克里斯托福鲁;A·肯格;W·J·R·威廉森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体开关，包括两个以反串联设置耦合的NMOS晶体管、耦合到NMOS晶体管的栅极的栅极控制电路。NMOS晶体管的漏极是互连的，栅极控制电路耦合到漏极互连。所需的芯片面积是已有的开关的一半。将栅极泵送至更高的电压可以引起NMOS晶体管的尺寸的进一步减小。另外有利于在NMOS晶体管的源极之间允许大范围的输入和输出电压，源极分别充当开关的输入和输出，从而可以使开关应用于广泛的技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 nmos 开关 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关，包括：两个以反串联设置耦合的MOS晶体管，耦合到MOS晶体管的栅极的栅极控制电路，该MOS晶体管体现为N沟道MOS晶体管，MOS晶体管的漏极互连，该栅极控制电路耦合到该互连的漏极。
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