[发明专利]半导体部件及其制造方法有效
| 申请号： | 03824815.8 | 申请日： | 2003-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1695255A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 维舒努·赫姆卡;维嘉·帕撒萨拉丝;朱荣华;阿米塔瓦·博斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体部件包括一RESURF晶体管(100，200，300，400，500)，该晶体管包括具有第一导电类型的第一半导体区(110，210，310，410，510)和位于第一半导体区上面并具有第二导电类型的电浮动半导体区(115，215，315，415，515，545)。RESURF晶体管进一步包括位于电浮动半导体区上面并具有第一导电类型的第二半导体区(120，220，320，420，520)，位于第二半导体区上面并具有第一导电类型的第三半导体区(130，230)，和第二半导体区上面并具有第二导电类型的第四半导体区(140，240，340，440，540)。在一个特定实施例中，当在第三半导体区和第四半导体区之间施加反向偏压时，第四半导体区和电浮动半导体区使第二半导体区耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体部件，包括：一RESURF晶体管(100，200)，它包括：一具有第一导电类型的第一半导体区(110，210)；一位于第一半导体区上面并具有第二导电类型的第一电浮动半导体区(115，215)；一位于第一电浮动半导体区上面并具有第一导电类型的第二半导体区(120，220)；一位于第二半导体区上面并具有第一导电类型的第三半导体区(130，230)；和一位于第二半导体区上面并具有第二导电类型的第四半导体区(140，240)；其特征在于：当在第三半导体区和第四半导体区之间施加反向偏压时，第四半导体区和第一电浮动半导体区使第二半导体区耗尽。
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