[发明专利]使用齐纳二极管类器件的内存阵列的控制方法有效
| 申请号： | 03824885.9 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1714407A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | M·A·范布斯格克;T－N·方;C·S·比尔;Z·兰 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明由于以半导体阵列(100、200、212、300、400)中的个别半导体装置改变状态的方式协助提高效率，而有助于该等半导体装置。可在无须晶体管型电压控制的情形下，将状态改变电压施加到该半导体装置的阵列(100、200、212、300、400)中的单一装置。本发明的二极管效应(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)由于使状态改变所必要的特定电压电平只发生在所需的装置，而有助于上述的活动。在此种方式下，可在无须使用晶体管技术的情形下而以不同的资料或状态程序化一阵列的装置。本发明也可提供一种制造这类型的装置的极有效率的方法，而无须制造高成本的外部电压控制半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 齐纳二极管 器件 内存 阵列 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元阵列(100、200、212、300、400)，包含多个可寻址的存储单元装置(110、112、116、206、214、310、312、314、316、410、412、414、416、500)，该等可寻址的存储单元装置具有二极管特性(114、508、510、900、1014、1114、1214、1502、1702、1812)，而该等二极管特性可为了程序化、抹除、及读取的目的而自行管制内部电流。
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