[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 03825070.5 | 申请日： | 2003-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1695205A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 菊竹阳;伊藤成真;川畑邦范 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，其特征在于，包括用于对第一地址进行冗余的多个第一熔丝锁存电路、用于对第二地址进行冗余的多个第二熔丝锁存电路、以及用于使多个第二熔丝锁存电路无效的无效电路，与多个第一熔丝锁存电路对应的多个第一熔丝位置并不相互相邻，而是由与多个第二熔丝锁存电路对应的第二熔丝位置介于其间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：多个第一熔丝锁存电路，用于对第一地址进行冗余；多个第二熔丝锁存电路，用于对第二地址进行冗余；以及无效电路，用于使所述多个第二熔丝锁存电路无效，与所述多个第一熔丝锁存电路对应的多个第一熔丝位置交替地介于与所述多个第二熔丝锁存电路对应的第二熔丝位置之间。
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