[发明专利]使用铁磁隧道结元件的磁存储装置无效
申请号: | 03825374.7 | 申请日: | 2003-09-18 |
公开(公告)号: | CN1701443A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 吉原宏;森山胜利;森宽伸;冈崎信道 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L43/08;G11C11/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种互补型磁存储装置,其可以将存储数据精确地写入到一对铁磁隧道结元件中,从而提高了可靠性。互补型磁存储装置中,相反的存储数据存储在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中。第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上。线圈状第一写入布线形成在第一铁磁隧道结元件周围,线圈状第二写入布线形成在第二铁磁隧道结元件周围,使得第一写入布线的缠绕方向和第二写入布线的缠绕方向相反。 | ||
搜索关键词: | 使用 隧道 元件 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种互补型磁存储装置,用于分别在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中存储彼此相反的存储数据,其中使用所述铁磁隧道结元件的所述磁存储装置特征在于:所述第一铁磁隧道结元件和所述第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上;第一写入线象线圈一样绕在所述第一铁磁隧道结元件周围,并且第二写入线象线圈一样绕在所述第二铁磁隧道结元件周围;其中所述第一写入线的缠绕方向和所述第二写入线的缠绕方向彼此相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03825374.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:听力器件用的壳体结构
- 下一篇:具有改进的故障转移通知的IP冗余
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的