[发明专利]在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法

摘要

一种制造浅沟槽隔离结构(图4)的方法(图3A－3I)，在这种方法中，一垫氧化物层(62)，一中间氮化硅层(64)，一中间氧化物层(60)和顶层氮化硅层(68)依次形成在硅基板(60)上。通过光致掩膜工艺和非等向蚀刻工艺在基板上形成沟槽(70)。一氧化物材料(80)随后沉积在顶层氮化硅层的顶部，同时填充到沟槽中(图3E)，然后去除顶层氮化硅层，并等向蚀刻下面的氧化物层。中间氮化物层作为一自然的蚀刻屏障，可以将氧化物材料制成所需的形状。当中间氮化物层和垫氧化物层依次被去除后，就完成了一浅沟槽隔离结构的制造。

主权项

1.在半导体器件中形成隔离沟槽结构的方法，包括以下工序：在一硅基板上依次形成一第一层氧化硅层，一第一层掩膜屏障层，一第二层氧化硅层以及一第二层掩膜屏障层；在所述硅基板上进行非等向蚀刻以形成一沟槽；在所述沟槽中填入氧化硅材料；选择性的去除第二层掩膜屏障层，保持所述氧化硅沟槽填充物的完整性，从而形成一突出的氧化物结构；通过等向蚀刻方法去除所述第二层氧化硅层，从而所述突出的氧化物结构成形以具有顶部比底部窄的一峰状区域；以及依次去除所述第一层掩膜屏障层和所述第一层氧化硅层。