[发明专利]产生横向掺杂沟道的方法有效
| 申请号： | 03825407.7 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1701444A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | N－C·翁;T·图盖特;S·S·哈达德 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种横向掺杂沟道，特别是在半导体内存单元的MOSFET中。将第一掺杂材料(210)大致垂直地植入于邻近一栅极结构的区域(220)内。扩散制造过程将第一掺杂材料扩散到该栅极结构下面的沟道区域内。将第二掺杂材料(240)大致垂直地植入于邻近栅极结构的区域(220)内。第二植入形成源极/漏极区域(250)并且可能终止该沟道区域。该沟道区域于是包含横向非均匀掺杂轮廓，该轮廓有利地减轻该短沟道效应并且高度地补偿在沟道长度中的制造过程变化。内存单元可为浮动栅极或氮化物(SONOS)非易失性内存。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 横向 掺杂 沟道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造横向掺杂沟道的方法，包含：将第一掺杂材料大致垂直地植入(310)于邻近一栅极结构的区域内；将该第一掺杂材料扩散(320)到在该栅极结构下面的一沟道区域内；以及将第二掺杂材料大致垂直地植入(330)于邻近一栅极结构的该区域内，以形成一源极/漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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