[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 03825432.8 | 申请日: | 2003-06-27 |
公开(公告)号: | CN1703779A | 公开(公告)日: | 2005-11-30 |
发明(设计)人: | 竹内淳 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;G05F3/26 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是在半导体集成电流中削减待机时升压电压生成电路中的电流消耗。根据本发明的半导体集成电路的特征是包括:泵电路,通过对外部电源电压进行升压来生成升压电压;检测电路,检测由泵电路生成的升压电压,从而控制泵电路的驱动、非驱动;其中检测电路包括:差动放大器,比较升压电位和基准电位;电流控制电路,根据泵电路的驱动、非驱动来控制流经差动放大器的偏流量。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,其特征在于包括:泵电路,通过对外部电源电压进行升压来生成升压电压;和检测电路,检测由所述泵电路生成的所述升压电压,从而控制所述泵电路的驱动、非驱动;其中所述检测电路包括:差动放大器,比较所述升压电位和基准电位;和电流控制电路,根据所述泵电路的驱动、非驱动来控制流经所述差动放大器的偏流的量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03825432.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的