[发明专利]读取非挥发性内存单元的改良预先充电方法有效
| 申请号： | 03825514.6 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1706000A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | Y·何;Z·刘;M·W·兰多夫;E·F·朗尼恩;D·汉米尔顿;P－L·陈;B·Q·李 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/24;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种检测存储于双位电介质内存单元(48)的阵列(40)内，第一双位电介质内存单元(49)的电荷存储区域(62)的电荷的方法，包含将与第一内存单元(49)的沟道区域(50)形成一源极接面的第一位线(201)，耦合至地线(68)。一高电压施加至第一内存单元(49)的栅极(60)与第二位线(202)，即第一位线(201)右侧的下一位线，且仅藉由沟道区域(50)与第一位线(201)分隔。隔绝第三位线(203)，即第二位线(202)右侧的下一位线，使得其电位仅受其与位于第三位线(203)相反侧的第二沟道区域(50)与第三沟道区域(50)间的接面所影响。一高电压施加至预先充电位线，位于第三位线(203)的右侧，并检测于第二位线(202)的电流，以决定第一内存单元(49)的源极位(62)的编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 挥发性 内存 单元 改良 预先 充电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测存储于一双位电介质内存单元48的阵列40内，第一双位电介质内存单元49的一源极电荷存储区域62的电荷的方法，该方法包含：将与该第一内存单元49的一沟道区域50形成源极接面的第一位线201接地，该沟道区域50位于该第一位线201的右侧；施加一高电压至该第一内存单元49的一栅极60；施加一高电压至与该沟道区域50形成漏极接面的第二位线202，该第二位线202位于该第一位线201的右侧，且位于该沟道区域50的右侧；隔绝第三位线203，使得其电位仅受其与第二沟道区域50与第三沟道区域50的接面所影响；该第三位线203位于该第二位线202的右侧，且仅由位于其中的该第二沟道区域50与该第二位线202分隔；该第三沟道区域50位于该第三位线203的右侧；施加一高电压至一预先充电位线，该预先充电位线位于该第三位线203的右侧；以及检测于该第二位线202的电流。
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