[发明专利]用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物有效
| 申请号： | 03825534.0 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1714432A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 卢泫秀;朴泰远;李吉成;李仁庆 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 二次 抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体晶片二次抛光的淤浆组合物，含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅作为研磨剂、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
