[发明专利]垂直上升孔相变存储器有效
| 申请号： | 03825591.X | 申请日： | 2003-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1714461A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | T·A·劳里 | 申请（专利权）人： | 奥沃尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于相变存储器(10)的垂直上升孔结构可包括：具有在与小孔(46)中的相变材料(18)接触的小孔下方的下电极的小孔(46)。该下电极可以由较高电阻率层(24)和较高电阻率层(24)下方的较低电阻率层(26)组成。结果，可以在一些实施例中实现相变材料(18)的更均匀的加热和在一些情况下达到更佳的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 上升 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：绝缘材料；在所述绝缘材料上的相变材料；和与所述相变材料相耦合的下电极，所述下电极包括在一层较低电阻率层上的一层较高电阻率层。
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