[发明专利]制备包括铁电单晶层的膜结构的方法有效
| 申请号： | 03825649.5 | 申请日： | 2003-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1714429A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 殷宰焕;李相救;崔炳珠;林圣珉 | 申请（专利权）人： | 伊布勒光子学公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过用导电粘合剂或金属层将铁电单晶体板粘合到衬底上来制备有利于用在高性能电动或电子部件或装置的制造中的铁电单晶体膜结构，在与衬底粘合之前或之后抛光铁电单晶体板。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 包括 铁电单晶层 膜结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备铁电单晶体膜结构的方法，包括通过导电粘合剂或金属层将铁电单晶体板粘合到衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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