[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，首先形成钨插头(24)，在其上形成钨氧化防止屏蔽金属膜(25)。然后，形成比钨氧化防止屏蔽金属膜(25)薄的SiON膜(27)，对SiON膜(27)进行氩气溅射蚀刻。结果，SiON膜(27)的表面形状变平缓，深槽消失。然后，在整个面上形成SiON膜(28)。由SiON膜(28)和SiON膜(27)构成没有空隙的钨氧化防止绝缘膜(29)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板的表面上形成开关元件的步骤；形成覆盖所述开关元件的层间绝缘膜的步骤；在所述层间绝缘膜上形成一直到达构成所述开关元件的导电层的接触孔的步骤；在所述接触孔内埋入接触式插头的步骤；在所述层间绝缘膜上选择性地形成连接所述接触式插头的屏蔽金属膜的步骤；在整个面上形成第1绝缘膜的步骤；通过对所述第1绝缘膜实施溅射蚀刻，使所述第1绝缘膜的表面倾斜变平缓的步骤；和在所述屏蔽金属膜上形成铁电体电容器的步骤。