[发明专利]采用应变硅的高性能嵌入DRAM技术有效
| 申请号： | 03825771.8 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1720616A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杰克·A·曼德尔曼;杰弗里·P·加姆比诺;王耕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在同一衬底的应变层区域和无应变层区域中制作半导体器件。第一半导体器件，如存储单元，例如深沟槽存储单元形成在衬底的无应变层区域中。应变层区域选择性地形成在同一衬底中。第二半导体器件(66、68、70)，如FET，例如MOSFET逻辑器件形成在应变层区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 应变 性能 嵌入 dram 技术 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：具有无应变层区和应变层区的半导体衬底；在半导体衬底的无应变层区中形成的第一器件；以及在半导体衬底的应变层区中形成的第二器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03825771.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于即时通讯平台的网络存储方法及系统
- 下一篇：一种铁路客车车厢结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
