[发明专利]阻抗匹配耦合器有效
| 申请号： | 03826088.3 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1751411A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | M·卡瓦尔霍;L·康拉多;L·德梅尼西斯;W·马古利斯;D·塞克萨斯 | 申请（专利权）人： | 艾利森电讯公司 |
| 主分类号： | H01P5/02 | 分类号： | H01P5/02;H01P3/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强 |
| 地址： | 巴西圣*** | 国省代码： | 巴西;BR |
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| 摘要： | 一种阻抗匹配耦合器(1)包括介电衬底(10)，其上设有导电片(12)。在导电片和第一介电层上面形成包围了导电片的介电层(14)，最好是介电薄膜。最后在介电层上面设置金属层(16，18)。介电层具有比介电衬底的介电常数大很多、最好大十倍以上的介电常数。厚度小于100毫米的介电薄膜是有利的，其优选在5至100毫米之间，更优选在10至70毫米之间。介电衬底的厚度最好大于介电薄膜的厚度，最好是大十倍以上。导电片最好具有恒定的宽度。介电薄膜的厚度最好大于导电片宽度的10％。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗匹配 耦合器 | ||
【主权项】：
1.一种阻抗匹配器件(1)，包括：介电衬底(10)；覆盖了所述介电衬底(10)的第一表面(13)的至少一部分的介电层(14)；设于所述介电衬底(10)和所述介电层(14)之间的导电片(12)；金属层(16，18)，其设于所述介电层(14)的背离所述导电片(12)的表面(15)上，其特征在于，所述介电层(14)具有比所述介电衬底(10)的介电常数大很多的介电常数。
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