[发明专利]可编程阻抗存储器器件有效
| 申请号： | 03826160.X | 申请日： | 2003-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1759450A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 户田春希 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/36 | 分类号： | G11C11/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 可编程阻抗存储器器件，包括：半导体衬底；在该半导体衬底上形成的、其中布置了存储器单元的至少一个单元阵列，每个存储器单元具有可编程阻抗元件和存取元件的层叠结构，该可编程阻抗元件以非易失性方式存储由电压应用的极性所确定的高阻抗状态或者低阻抗状态，该存取元件具有这样的在某一电压范围内、在截止状态的阻抗值，该阻抗值是在选择状态的阻抗值的十倍或更多；以及，位于单元阵列下面、在半导体衬底上形成的读/写电路，其用于与单元阵列相联系的数据读取和数据写入。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 阻抗 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1、一种可编程阻抗存储器器件，包含：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的、其中布置了存储器单元的至少一个单元阵列，每个所述存储器单元具有可编程阻抗元件和存取元件的层叠结构，所述可编程阻抗元件以非易失性方式存储由电压应用的极性所确定的高阻抗状态或者低阻抗状态，所述存取元件具有这样的在某一电压范围内、在截止状态的阻抗值，该阻抗值是在选择状态的阻抗值的十倍或更多；以及位于所述单元阵列下面、在所述半导体衬底上形成的读取/写入电路，其用于与所述单元阵列相联系的数据读取和数据写入。
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