[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 03826446.3 | 申请日: | 2003-08-28 |
公开(公告)号: | CN1771593A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
发明(设计)人: | 福山俊一;大和田保;井上裕子;杉本贤 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/3205 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;王玉双 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于在具有多层配线结构的半导体装置中实现一种防止半导体装置的层间绝缘膜的破损或剥离等、运转速度为高速且结构稳定的半导体装置。根据本发明,在具有多层配线结构的半导体装置中,通过在多层配线结构中形成使用了断裂韧性值大的绝缘膜的配线结构,由此利用断裂韧性值大的绝缘膜,来缓和施加在半导体装置上的应力的影响,防止层间绝缘膜的破损或剥离,从而能够形成稳定的多层配线结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:基板;第一配线结构,其具有第一绝缘层和形成在该第一绝缘层内的第一配线层,并且形成在上述基板上;第二配线结构,其具有包含由绝缘膜构成的缓冲层的第二绝缘层和形成在该第二绝缘层内的第二配线层,并且形成在上述第一配线结构上;第三配线结构,其具有第三绝缘层和形成在该第三绝缘层内的第三配线层,并且形成在上述第二配线结构上;上述缓冲层的断裂韧性值比上述第一绝缘层以及上述第三绝缘层的断裂韧性值大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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