[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 03826553.2 | 申请日： | 2003-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1771602A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 野村浩 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有由形成在硅基板(10)上的多晶硅膜所构成的电阻元件(26)的半导体装置，电阻元件(26)具有：电阻部(26a)，其电阻值被设定为规定的值；接触部(26b)，其形成在电阻部(26a)的两端部，并与施加固定电位的配线相连接；散热部(26c)，其与接触部(26b)相连接。从而，能够提供一种具有寄生电容小、且散热性优越的电阻元件的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有由形成在半导体基板上的多晶硅膜构成的电阻元件，其特征在于，上述电阻元件具有：电阻部，其将电阻值设定为规定的值；接触部，其形成于上述电阻部的端部，且与施加固定电位的配线相连接；散热部，其与上述接触部相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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