[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法有效
| 申请号： | 03826575.3 | 申请日： | 2003-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1788104A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 宋亦周;樱井武;村田尊则 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C16/50;C23F4/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董惠石 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的薄膜形成装置(1)包括：内部维持真空的真空容器(11)；将反应性气体导入真空容器(11)内的气体导入单元(76)；和在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。并且，在真空容器(11)内的壁面上，涂敷有热分解氮化硼(P)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成装置，具有：内部维持真空的真空容器；将反应性气体导入该真空容器内的气体导入单元；在上述真空容器内产生上述反应性气体的等离子体的等离子体发生单元，其特征在于，上述真空容器内的壁面涂敷有热分解氮化硼。
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