[发明专利]高k介电膜,及其形成方法和相关的半导体器件有效
| 申请号： | 03826872.8 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1820355A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | C·林;K·李 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了高k介电膜，及其形成方法和相关半导体器件，其中具有第一氮含量(zB)和第一硅含量(xB)的金属硅氮氧化物的底层(B)，和具有第二氮含量(zT)和第二硅含量(xT)的金属硅氮氧化物的顶层(T)以这种方式形成，即第二氮含量(zT)高于第一氮含量(zB)，并且第二硅含量(xT)高于第二硅含量(xB)。由此，具有极好的泄漏特性和很高的介电常数的介电膜(2)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 介电膜 及其 形成 方法 相关 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.用于半导体器件的高k介电膜，形成在衬底(1)上并至少包括：具有第一氮含量(zB)和第一硅含量(xB)的金属硅氮氧化物的底层(B)；以及具有第二氮含量(zT)和第二硅含量(xT)的金属硅氮氧化物的顶层(T)，其中顶层(T)的所述第二氮含量(zT)高于底层(B)的所述第一氮含量(zB)，并且顶层(T)的所述第二硅含量(xT)高于底层(B)的所述第一硅含量(xB)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03826872.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属管线埋设长度的测量方法及其装置
- 下一篇：一种TCP连接的合并方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
