[发明专利]光学微机电结构无效
| 申请号： | 03826880.9 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1832899A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | J·T·拉夫恩基尔德;H·亨宁森 | 申请（专利权）人： | 亨斯迈先进材料（瑞士）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：(至少一个)光学透射层(UTL)；(至少一个)中间层结构(IL)；(至少一个)器件层(DL)，所述中间层结构(IL)限定了在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 微机 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：-至少一个光学透射层(UTL)；-至少一个中间层结构(IL)；-至少一个器件层(DL)；所述中间层结构(IL)有助于在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。
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