[发明专利]发光薄膜半导体芯片有效
| 申请号： | 03827114.1 | 申请日： | 2003-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1839485A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | D·埃泽尔特;B·哈恩;V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;魏军 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光薄膜半导体芯片，其具有一个外延的多层结构(12)，所述多层结构包含一个有源发光层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背向该第一主面的、用于耦合输出在所述有源发光层内产生的辐射的第二主面(18)。另外，所述多层结构(12)的所述第一主面(16)与一反射层或边界面耦合，而且所述多层结构的与所述多层结构的所述第二主面(18)相邻的区域(22)被一维地或二维地用凸形突起(26)结构化。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 薄膜 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.发光薄膜半导体芯片，其具有一个外延的多层结构(12)，所述多层结构包含一个有源发光层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背向该第一主面的、用于耦合输出在所述有源发光层内产生的辐射的第二主面(18)，其特征在于：所述多层结构(12)的所述第一主面(16)与一反射层或边界面耦合，而且所述多层结构的与所述多层结构的所述第二主面(18)相邻的区域(22)被一维地或二维地结构化。
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