[其他]平面磁控溅射靶及其镀膜方法在审
| 申请号： | 101985000000096 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100096B | 公开（公告）日： | 1988-12-07 |
| 发明（设计）人： | 范玉殿 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京仪器厂 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 张善余 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平面磁控溅射靶装置，至少包含有两个电磁铁，靶板由多块异种材料拼砌而成。通过调节各个电磁铁的励磁电流的相对比值，使靶板内表面跑道磁场的各个区段的磁场强度的相对比值发生变化，从而实现所镀制的合金膜成份在一定范围内的连续调节。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 磁控溅射 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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