[其他]离子注入半导体瞬时退火设备在审
| 申请号： | 101985000000131 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100131B | 公开（公告）日： | 1987-02-25 |
| 发明（设计）人： | 钱佩信;侯东彦;陈必贤;马腾阁;林惠旺;李志坚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋;胡兰芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作１μｍ短沟超大规模集成电路和浅ＰＮ结（结深为０．２μｍ）器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅ＰＮ结的欧姆结制作。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 半导体 瞬时 退火 设备 | ||
【主权项】：
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