[其他]磷酸氧钛钾单晶的熔盐生长方法和有关装置在审

专利信息
申请号: 101985000000836 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100836B 公开(公告)日: 1988-07-20
发明(设计)人: 沈德忠;黄朝恩 申请(专利权)人: 国家建筑材料工业局人工晶体研究所
主分类号: 分类号:
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 北京东*** 国省代码: 北京;11
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摘要: KTP单晶的熔盐生长方法,是一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4,简称KTP)的生长方法。本发明采用KTiOPO4化合物为原料、多磷酸钾为熔剂生长KTP单晶的熔盐生长法。介绍了晶体生长所需要的装置和必要的参数,指出KTiO-PO4化合物和多磷酸钾的重量比为1∶19~2∶3之间,生长条件是:先升温至950°~1100℃,然后降温至920°~800℃,并使熔体产生相对运动,保持0.5°~5℃/cm的温度梯度,生长周期为10~60天,能长出最大为13×20×15mm3的KTP单晶。
搜索关键词: 磷酸 氧钛钾单晶 生长 方法 有关 装置
【主权项】:
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