[其他]用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备在审
| 申请号： | 101985000002326 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102326B | 公开（公告）日： | 1988-09-14 |
| 发明（设计）人： | 西杰森;尤杰;范德普特尔 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬;肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备。依本法，把若干半导体材料基片放在炉管内安置的反应管内加热，在反应管壁上开有一些孔，反应气体经这些开孔流过，进行淀积半导体材料。为实现此法，在炉子管道内沿着反应管壁的外侧产生一个气体流，而且只有该气流的一部分经开孔通入反应器管道。使用此法防止在基片上淀积上在反应气体内可能形成的尺寸不同、成分不同的微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 气体 材料 制作 半导体器件 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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