[其他]光电池在审
| 申请号： | 101985000003355 | 申请日： | 1985-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1003150B | 公开（公告）日： | 1989-01-25 |
| 发明（设计）人： | 深津猛夫;武内胜;后藤一幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何光元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有Ｐ型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为２５－３００Ａ并具有可生成空穴的０．３ｅＶ以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为１００－１０００Ａ并有可生成空穴的０．３ｅＶ以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的Ｉ型第三半导体层、第三半导体层上Ｎ型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电池 | ||
【主权项】：
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