[其他]动态随机存取存贮器单元(dram)和生产方法在审
| 申请号： | 101985000003376 | 申请日： | 1985-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1004734B | 公开（公告）日： | 1989-07-05 |
| 发明（设计）人： | 查特基;马利;理查森 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春 |
| 地址： | 美国.得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里揭示的是动态随机存取贮器（ｄＲＡＭ）单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道。场效应管的源极和漏极同衬底绝缘。管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半部分。信号电荷贮存在与衬底绝缘的电容器的板极上。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取 存贮器 单元 dram 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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