[其他]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 101985000003578 | 申请日： | 1985-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN85103578B | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阿佩尔斯;马斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬;肖春京 |
| 地址： | 荷兰.艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用自对准方法在一开口内形成半导体区域和金属接触区，通过一绝缘材料（１５）把金属区与沿着多晶连接部分边缘的开口相隔开，所形成的防护层保持在开口内，直到从多晶硅半导体材料的均匀层中，以各向导性刻蚀法形成所述的连接部分。该方法适用于双极型晶体管和场效应晶体管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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