[其他]矿物半导体检测仪器在审
| 申请号： | 101985000003885 | 申请日： | 1985-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN85103885B | 公开（公告）日： | 1988-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵亨达 | 申请（专利权）人： | 辽宁省地质实验研究中心 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 辽宁专利事务所 | 代理人： | 李宗津 |
| 地址： | 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于测定矿物的物理性能的装置。目前国内外测定矿物是否具有半导体特征均采用直接或间接测定该矿物电阻率的方法如两针法、四针法等。但不适于对一些表面形状不规则，体积很小的物质，如矿物颗粒进行测定。本发明基于新的原理来检测表面不规则体积小的矿物半导体性能，使该矿物同电极组成类似肖特基二极管结构，检测该结构是否具有整流特性从而判定该物质是否具有半导体特性。 | ||
| 搜索关键词： | 矿物 半导体 检测 仪器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁省地质实验研究中心，未经辽宁省地质实验研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101985000003885/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
