[其他]半导体激光器在审
| 申请号： | 101985000004521 | 申请日： | 1985-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1004780B | 公开（公告）日： | 1989-07-12 |
| 发明（设计）人： | 穆利文;瓦尔斯达尔 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一个具有隐埋阻断层限流的双异质结型（ＤＨ）半导体激光器，根据本发明，一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区４Ａ两边的外上方，从对着衬底的半导体本体这边，至少贯穿了阻挡层的厚度。因此，横向漏电流和寄生电容被减小，使该激光器能用于在显著高于１ＧＨｚ的频率。高阻区（１４）最好用质子轰击得到。本发明对用于光通讯的ＤＣＰＢＨ激光器特别有益。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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